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Phosphure d'indium
__ In3+     __ P3-
Identification
Nom UICPA	Phosphure d'indium(III)
No CAS	22398-80-7
No ECHA	100.040.856
No CE	244-959-5
Apparence	cristaux noirs cubiques
Propriétés chimiques
Formule	InP  [Isomères]
Masse molaire[1]	145,792 ± 0,003 g/mol In 78,75 %, P 21,25 %,
Propriétés physiques
T° fusion	1 062 °C (1335,15 K)
Masse volumique	4,81 solide
Propriétés électroniques
Largeur de bande interdite	1,344 eV à 300 K (gap direct)
Mobilité électronique	0,46 m2/(V·s)
Mobilité des trous	0,015 m2/(V·s)
Cristallographie
Système cristallin	Cubique
Structure type	Blende
Précautions
Directive 67/548/EEC
Xn Symboles : Xn : Nocif Phrases R : R40 : Effet cancérogène suspecté. Risque possible d’effets irréversibles. Phrases S : S36/37 : Porter un vêtement de protection et des gants appropriés. Phrases R : 40, Phrases S : 36/37,
Classification du CIRC
Groupe 2A : Probablement cancérogène pour l'homme[2]
Composés apparentés
Autres cations	Phosphure de bore Phosphure d'aluminium Phosphure de gallium
Autres anions	Nitrure d'indium Arséniure d'indium Antimoniure d'indium
Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.
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Le phosphure d'indium est un composé inorganique de formule InP. C'est un semi-conducteur binaire de type III-V, constitué d'indium et de phosphore utilisé en micro-électronique.

Le phosphure d'indium possède comme la plupart des semi-conducteurs III-V (GaAs, InAs, etc.) une structure de type « blende », c'est-à-dire deux mailles cubiques faces centrées (cfc) de chacun des deux composants imbriquées et décalées d'un vecteur (1/4;1/4;1/4), ou d'un autre point de vue, une maille cfc de l'un des constituants dont quatre des huit sites tétraédriques sont occupés par l'autre constituant. Il possède donc une géométrie tétragonale où chaque ion indium est lié à quatre ions phosphore, et vice-versa.

Le phosphure d'indium peut être préparé directement par réaction directe entre les éléments phosphore et indium, principe utilisé dans de nombreux procédés industriels :

• Croissance de cristal utilisant un four horizontal par la technique de Bridgman-Stockbarger, dans laquelle des vapeurs d'indium et de phosphore réagissent pour former des molécules libres qui se déposent sur un germe cristallin dans la partie la plus froide du four.
• Méthode LEC (Liquid encapsulated Czochralski) utilisée pour produire des monocristaux à haute pureté.

Parmi les autres méthodes pour former des couches minces de InP, on compte différentes techniques d'épitaxie comme l'épitaxie par jet moléculaire (MBE pour Molecular Beam Epitaxy en anglais) à partir de sources en phosphore et en indium.

Le phosphure d'indium est utilisé dans les applications électroniques à haute fréquence et à haute puissance, à cause de sa plus grande mobilité électronique comparée à celles des semi-conducteurs plus communs, comme le silicium et l'arséniure de gallium. Il possède un gap direct, ce qui le rend apte à utilisation en opto-électronique, comme dans la fabrication des diodes laser. InP est aussi utilisé comme substrat pour la croissance par épitaxie de composés optoélectroniques à base d'arséniure d'indium-gallium (InGaAs).

Son paramètre de maille est suffisamment différent de celui de l'arséniure d'indium, ce qui permet de former des structures à confinement quantique, en particulier des boîtes quantiques (quantum dots) InAs/InP, utilisées dans la fabrication de lasers pour les télécommunications par fibre optique.

• Triméthylindium, In(CH₃)₃
• Triéthylindium, In(CH₂CH₃)₃

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