Мокеров, Владимир Григорьевич

Владимир Григорьевич Мокеров
Владимир Григорьевич Мокеров
Дата рождения	2 мая 1940
Место рождения	село Даровское Даровского р-на Кировской области СССР
Дата смерти	23 сентября 2008 (68 лет)
Место смерти	Москва,
Страна	→
Род деятельности	учёный
Научная сфера	физика полупроводников, технология микро- и наноэлектроники, физика низкоразмерных систем
Место работы	Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук
Альма-матер	Ленинградский государственный университет
Учёная степень	доктор физико-математических наук
Учёное звание	член-корреспондент АН СССР, профессор

Влади́мир Григо́рьевич Моке́ров (2 мая 1940 года — 23 сентября 2008 года) — советский и российский физик, доктор физико-математических наук (1982), профессор (1989), член-корреспондент АН СССР (1990)^[1], член-корреспондент РАН (1991).

Основатель и первый директор Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, носящего теперь его имя^[2]. Создатель научной школы в области гетероструктурной СВЧ электроники^[3].

Биография

Владимир Григорьевич Мокеров родился 2 мая 1940 года в семье сельского учителя. Отец — Григорий Иванович Мокеров, мать — Мария Сергеевна Мокерова. В 1945 году семья поселяется в Ленинграде. В 1957 году окончил ленинградскую среднюю школу № 35. В 1958 году поступил на Физический факультет Ленинградского государственного университета. В 1963 году Владимир Григорьевич окончил ЛГУ и поступил на должность инженера в НИИ Молекулярной электроники МЭП СССР в г. Зеленограде. В 1967 году обнаруживает аномальные явления при фазовом переходе полупроводник-металл в плёнках окислов ванадия^[4]. В 1970 году защитил кандидатскую диссертацию по теме «Электрические и оптические свойства двуокиси ванадия при фазовом переходе полупроводник-полуметалл». С 1967 по 1988 год преподавал в Московском институте электронной техники (МИЭТ). В 1977 году возглавил отдел изучения эпитаксиальных структур НИИМЭ. В 1982 году защитил докторскую диссертацию по теме «Исследование окислов ванадия»^[5]. В 1984 году в отделе Мокерова создан первый в СССР полевой транзистор на основе гетероструктуры GaAs/GaAlAs^[6]^[7].

В середине 1980-х годов являлся главным технологом Министерства электронной промышленности СССР по операционному контролю технологии больших интегральных схем. Его работы в этот период внесли значительный вклад в повышение качества и уровня отечественного производства микросхем. В 1988 году перешёл на работу в Институт радиотехники и электроники АН СССР на должность руководителя Отдела Микро- и наноэлектроники. В 1989 году Мокерову В. Г. присвоено учёное звание профессора по специальности «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Преподавал в Московском физико-техническом институте. В 1991 году переходит на преподавательскую работу в Московский институт радиотехники, электроники и автоматики (МИРЭА), возглавив кафедру «Полупроводниковых приборов». С 1991 года — заместитель директора ИРЭ РАН по научной работе. В 1994 году в Отделе Мокерова созданы первые российские транзисторные структуры с квантовой ямой InGaAs/GaAs^[8]^[9]

16 апреля 2002 года — вышло постановление Президиума РАН о создании Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, директором которого был назначен Мокеров В. Г.. 26 февраля 2008 года в Национальном исследовательском ядерном университете «МИФИ» создана кафедра Физики наноразмерных гетероструктур и СВЧ наноэлектроники. Мокеров В. Г. был назначен заведующим кафедрой.

Являлся членом редколлегий журналов «Микроэлектроника», «Радиотехника и электроника» и «Микросистемная техника». Являлся действительным членом — академиком Академии электротехнических наук РФ и членом Международного института инженеров-электриков и электронщиков (IEEE, Нью-Йорк, США). Скончался в Москве 23 сентября 2008 года. Похоронен на Ваганьковском кладбище Москвы^[10].

26 июля 2010 года был образован Фонд поддержки образования и науки имени члена-корреспондента РАН профессора В. Г. Мокерова^[11], премирующий талантливых студентов и молодых ученых, работающих в области гетероструктурной СВЧ электроники именными стипендиями и грантами.

С мая 2010 года на базе НИЯУ МИФИ ежегодно проводятся Международные Научно-практические конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники под названием «Мокеровские чтения»^[12].

Приказом ФАНО России от 24.01.2018 г. № 23 Федеральному государственному автономному научному учреждению Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук присвоено имя члена-корреспондента Российской академии наук Мокерова Владимира Григорьевича^[13].

Научные достижения

В 2006 году впервые в России разработана и изготовлена монолитная интегральная схема трехкаскадного малошумящего усилителя на гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs^[14].
В 2006—2008 году под руководством Мокерова в ИСВЧПЭ РАН начато освоение отечественной технологии изготовления транзисторов на широкозонной гетеросистеме AlGaN/GaN, увенчавшееся созданием транзисторов с 170 нм затвором, граничной частотой усиления по току 48 ГГц, по мощности — 100 ГГц и выходной мощностью более 4 Вт/мм^[15].
В 2008 году впервые в России разработаны и изготовлены высокотемпературные и радиационно-стойкие СВЧ транзисторы на гетероструктурах AlGaN/GaN с пробивным напряжением свыше 100 В., максимальной удельной мощностью не менее 4,5 Вт на один миллиметр длины затвора и предельной частотой усиления по мощности 110 ГГц, а также грибообразный затвор длиной 100 нм.
Автор 350 научных работ и 12 изобретений^[16].

Награды

13 февраля 1986 года — награждён орденом «Дружбы народов».
16 марта 2000 года — лауреат Премии Правительства РФ в области науки и техники.
2001 год — награждён орденом Почета.

Примечания

↑ Мокеров Владимир Григорьевич. (рус.) Информационная система "Архивы РАН". Дата обращения: 12 сентября 2018. Архивировано 2 июля 2022 года.
↑ Профиль Владимира Григорьевича Мокерова на официальном сайте ИСВЧПЭ РАН (рус.). Дата обращения: 12 сентября 2018. Архивировано 5 сентября 2018 года.
↑ ВЛАДИМИР ГРИГОРЬЕВИЧ МОКЕРОВ К 70-летию со дня рождения (рус.). Радиотехника и электроника, 2010, том 55, № 8, с. 1020—1024. Дата обращения: 12 сентября 2018. Архивировано 12 марта 2017 года.
↑ В. Г. Мокеров, А. В. Раков, Исследование спектров отражения монокристаллов двуокиси ванадия при фазовом переходе полупроводник-металл, ФТТ, 1968, т. 10, стр.1556-1557
↑ Мокеров, Владимир Григорьевич, Исследования окислов ванадия : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д. ф.-м. н. — М., 1982. — 53 с., Российская Национальная Библиотека [1]
↑ А. Н. Вороновский, И. У. Ицкевич, Л. М. Каширская, В. Д. Кулаковский, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Долгоживущая фотопроводимость в селективно легированных структурах n-AlxGa1-xAs/GaAs в условиях гидростатического сжатия, Письма в ЖЭТФ, 1985, т. 42, вып. 10, стр. 405—408.
↑ Б. В. Журкин, В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, С. Р. Октябрьский, С. С. Шмелев, Нунупавров, Квантовый эффект Холла в гетероструктурах GaAs/AlGaAs, Физ. ин-т АН СССР, препр., 1985, № 243, стр. 12.
↑ P. M. Имамов, А. А. Ломов, В. П. Сироченко, А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, Г. 3. Немцев, Ю. В. Федоров, Исследование гетероструктуры InGaAs/GaAs (100) методом рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения, ФТП, 1994, т. 28, вып. 8, стр. 1346—1353.
↑ М. В. Карачевцева, А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, Г. З. Немцев, В. А. Страхов, Н. Г. Яременко, Температурные исследования фотолюминесценции структур InхGa1-хAs/GaAs с квантовыми ямами, ФТП, 1994, т. 28, в.7, стр.1211-1218.
↑ Могила В. Г. Мокерова (неопр.). Дата обращения: 25 июля 2019. Архивировано 26 июля 2019 года.
↑ Фонд Поддержки Образования И Науки Имени Члена Корреспондента Ран Мокерова В.Г (неопр.). Дата обращения: 9 сентября 2018. Архивировано 30 июня 2018 года.
↑ Международная научно-практическая конференция «Мокеровские чтения» состоялась в НИЯУ МИФИ [2] Архивная копия от 11 декабря 2018 на Wayback Machine
↑ Создано Федеральное государственное автономное учреждение — ИСВЧПЭ РАН (неопр.). Дата обращения: 9 сентября 2018. Архивировано 2 сентября 2018 года.
↑ В. Г. Мокеров, В. Я. Гюнтер, С. Н. Аржанов, Ю. В. Федоров, М. Ю. Щербакова, Л. И. Бабак, А. А. Баров, В. М. Черкашин, Ф. И. Шеерман, Монолитный малошумящий усилитель Х-диапазона на основе 0,15 мкм GaAs РНЕМТ технологии, 17-я Международная Крымская конференция «СВЧ — техника и телекоммуникационные технологии» материалы конференции 10-14 сентября 2007 г.
↑ В. Г. Мокеров, А. Л. Кузнецов, Ю. В. Федоров, Е. Н. Енюшкина, А. С. Бугаев, А. Ю. Павлов, Д. Л. Гнатюк, А. В. Зуев, Р. Р. Галиев, Ю. Н. Свешников, А. Ф. Цацульников, В. М. Устинов, Частотные характеристики AlGaN/GaN- НЕМТ- транзисторов с различной длиной и шириной затворов, Тезисы докладов 6-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия — структуры и приборы», 18-20 июня 2008 года, г. Санкт-Петербург, стр. 148—149.
↑ Список научных публикаций http://www.mokerov.ru/works/ Архивная копия от 18 августа 2018 на Wayback Machine

Ссылки

Профиль Владимира Григорьевича Мокерова на официальном сайте ИСВЧПЭ РАН (рус.). Дата обращения: 12 сентября 2018.
ВЛАДИМИР ГРИГОРЬЕВИЧ МОКЕРОВ К 70-летию со дня рождения (рус.). Радиотехника и электроника, 2010, том 55, № 8, с. 1020—1024. Дата обращения: 12 сентября 2018.
В России есть твердотельная СВЧ-электроника. Памяти Владимира Григорьевича Мокерова (рус.) (3 сентября 2010). Дата обращения: 12 сентября 2018.
Памяти Владимира Григорьевича Мокерова. К 70-летию со дня рождения (рус.). Микроэлектроника, 2010, том 39, № 5, с. 323-326. Дата обращения: 12 сентября 2018.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова Российской академии наук (рус.). Дата обращения: 12 сентября 2018.
Воспоминания о В. Г. Мокерове (рус.). Дата обращения: 12 сентября 2018.
Мокеров В. Г. Научное наследие. М.: Агентство CIP РГБ, 2010. — 607 с.
Мокеров, Владимир Григорьевич на математическом портале Math-Net.Ru
Фонд поддержки образования и науки имени члена-корреспондента РАН, профессора В.Г.Мокерова
Встреча с президентом Д.А. Медведевым в МИФИ 2008г (Воспоминания профессора НИЯУ МИФИ, доктора физико-математических наук Васильевского Ивана Сергеевича)

Интервью

«Наногетероструктурная электроника» // Газета «Промышленный еженедельник», № 16(17), стр.6, 2003 [3]
«В России возможна своя твердотельная СВЧ-электроника» // Журнал «Электроника НТБ», № 8, 2003. [4], [5]
«Вырастет отрасль?» // Газета «Поиск», № 16 (986), стр. 12, 2008.

[1] Мокеров Владимир Григорьевич. (рус.) Информационная система "Архивы РАН". Дата обращения: 12 сентября 2018. Архивировано 2 июля 2022 года.

[2] Профиль Владимира Григорьевича Мокерова на официальном сайте ИСВЧПЭ РАН (рус.). Дата обращения: 12 сентября 2018. Архивировано 5 сентября 2018 года.

[3] ВЛАДИМИР ГРИГОРЬЕВИЧ МОКЕРОВ К 70-летию со дня рождения (рус.). Радиотехника и электроника, 2010, том 55, № 8, с. 1020—1024. Дата обращения: 12 сентября 2018. Архивировано 12 марта 2017 года.

[4] В. Г. Мокеров, А. В. Раков, Исследование спектров отражения монокристаллов двуокиси ванадия при фазовом переходе полупроводник-металл, ФТТ, 1968, т. 10, стр.1556-1557

[5] Мокеров, Владимир Григорьевич, Исследования окислов ванадия : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д. ф.-м. н. — М., 1982. — 53 с., Российская Национальная Библиотека [1]

[6] А. Н. Вороновский, И. У. Ицкевич, Л. М. Каширская, В. Д. Кулаковский, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Долгоживущая фотопроводимость в селективно легированных структурах n-AlxGa1-xAs/GaAs в условиях гидростатического сжатия, Письма в ЖЭТФ, 1985, т. 42, вып. 10, стр. 405—408.

[7] Б. В. Журкин, В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, С. Р. Октябрьский, С. С. Шмелев, Нунупавров, Квантовый эффект Холла в гетероструктурах GaAs/AlGaAs, Физ. ин-т АН СССР, препр., 1985, № 243, стр. 12.

[8] P. M. Имамов, А. А. Ломов, В. П. Сироченко, А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, Г. 3. Немцев, Ю. В. Федоров, Исследование гетероструктуры InGaAs/GaAs (100) методом рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения, ФТП, 1994, т. 28, вып. 8, стр. 1346—1353.

[9] М. В. Карачевцева, А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, Г. З. Немцев, В. А. Страхов, Н. Г. Яременко, Температурные исследования фотолюминесценции структур InхGa1-хAs/GaAs с квантовыми ямами, ФТП, 1994, т. 28, в.7, стр.1211-1218.

[10] Могила В. Г. Мокерова (неопр.). Дата обращения: 25 июля 2019. Архивировано 26 июля 2019 года.

[11] Фонд Поддержки Образования И Науки Имени Члена Корреспондента Ран Мокерова В.Г (неопр.). Дата обращения: 9 сентября 2018. Архивировано 30 июня 2018 года.

[12] Международная научно-практическая конференция «Мокеровские чтения» состоялась в НИЯУ МИФИ [2] Архивная копия от 11 декабря 2018 на Wayback Machine

[13] Создано Федеральное государственное автономное учреждение — ИСВЧПЭ РАН (неопр.). Дата обращения: 9 сентября 2018. Архивировано 2 сентября 2018 года.

[14] В. Г. Мокеров, В. Я. Гюнтер, С. Н. Аржанов, Ю. В. Федоров, М. Ю. Щербакова, Л. И. Бабак, А. А. Баров, В. М. Черкашин, Ф. И. Шеерман, Монолитный малошумящий усилитель Х-диапазона на основе 0,15 мкм GaAs РНЕМТ технологии, 17-я Международная Крымская конференция «СВЧ — техника и телекоммуникационные технологии» материалы конференции 10-14 сентября 2007 г.

[15] В. Г. Мокеров, А. Л. Кузнецов, Ю. В. Федоров, Е. Н. Енюшкина, А. С. Бугаев, А. Ю. Павлов, Д. Л. Гнатюк, А. В. Зуев, Р. Р. Галиев, Ю. Н. Свешников, А. Ф. Цацульников, В. М. Устинов, Частотные характеристики AlGaN/GaN- НЕМТ- транзисторов с различной длиной и шириной затворов, Тезисы докладов 6-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия — структуры и приборы», 18-20 июня 2008 года, г. Санкт-Петербург, стр. 148—149.

[16] Список научных публикаций http://www.mokerov.ru/works/ Архивная копия от 18 августа 2018 на Wayback Machine

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

[7]

[8]

[9]

[10]

[11]

[12]

[13]

[14]

[15]

[16]