|
DDR5 SDRAMDDR5 SDRAM (англ. double-data-rate five synchronous dynamic random access memory) — пятое поколение оперативной памяти, являющееся эволюционным развитием предыдущих поколений DDR SDRAM. Планируется, что DDR5 предоставит меньшее энергопотребление, а также удвоенную пропускную способность и объём по сравнению с DDR4 SDRAM[1]. ИсторияКорпорация Intel в выступлении 2016 года предположила, что JEDEC может выпустить спецификацию DDR5 SDRAM в 2016 году с коммерческой доступностью памяти к 2020 году[2]. В марте 2017 JEDEC сообщила о планах выпустить спецификацию DDR5 в 2018 году[3]; на форуме JEDEC Server в 2017 сообщалось о дате предварительного доступа к описанию DDR5 SDRAM с 19 июня 2017[4][5], а 31 октября начался двухдневный «DDR5 SDRAM Workshop»[6]. Компания Rambus анонсировала прототип памяти DDR5 RAM в сентябре 2017 года, с доступностью не ранее 3 квартала 2018 года[10][11]. Micron изготовила первые прототипы памяти в 2017 году, они были проверены при помощи контроллера, спроектированного компанией Cadence Design Systems, выпущенного на полупроводниковой фабрике компании TSMC (7 нм)[12]. Начало выхода первых изделий на рынок ожидалось до конца 2019 года, с занятием четверти рынка памяти примерно в 2020 году[13]. Согласно исследованию IDC, предполагалось, что спрос на DDR5 начнёт расти в 2020, а в 2021 достигнет четверти рынка[14]. Также прогнозировался, в 2020 году, выход родственного стандарта LPDDR5 для ноутбуков и мобильных устройств[13]. Первую в мире оперативную память нового поколения представила SK Hynix 6 октября 2020 года. Эта память обеспечивает скорость передачи данных в 4800-5600 Мбит/с на контакт (что в 1,8 раза превышает базовые показатели DDR4), напряжение питания уменьшено с 1,2 до 1,1 В, что повышает энергетическую эффективность; добавлена поддержка исправления ошибок ECC. Ёмкость модулей памяти DDR5 от SK Hynix и Micron может достигать 256 ГБ (потребление порядка 20 Вт), при использовании технологии производства Through-Silicon-Via (TSV)[15][16]. 29 августа 2024 года компания SK Hynix Inc. сообщила о разработке первого в индустрии чипа памяти DDR5 ёмкостью 16 Гбит. Производство чипов будет осуществляться по технологии 1c (шестое поколение технологического процесса класса 10 нм). Скорость работы чипов повышена на 11% по сравнению с предшествующей технологией и будет достигать значений до 8 Гбит/с. Энергоэффективность чипов также была повышена более чем на 9%. Массовое производство новой памяти начнётся в течение 2024 года, поставки продукции стартуют в 2025 году. Примечания
Ссылки
|
